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场效应晶体管
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二极管
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集成稳压器
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ac/dc
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pkg2000
pkg4000
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pkr4000asi系列dc
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wre20(30)w系列
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wra05w系列
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wsr03w系列
wsr05w系列
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电压频率转换器
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p.12/16/20/25f系列二级管
30/40/60/70.a.b.d.s.t系列
r.c.kbpc.m系列二极管
二极管
2n.3n.4n系列三极管
2s.d.i.m.t系列三极管
a.b系列三极管
mr.ms系列三极管
hxtr.pt系列三极管
sd.ne系列三极管
2sc.cd.t.u系列三极管
三极管
微处理器和片上系统
现场可编程门阵列
存储器电路
模数转换器
数模转换器
总线电路
接口和驱动电路
逻辑和电平电路
电源管理芯片
射频和微波电路
分立器件
抗辐照高性能
抗辐照高性能
微处理器和片上系统
现场可编程门阵列
存储器电路
模数转换器
数模转换器
总线电路
接口和驱动电路
逻辑和电平电路
电源管理芯片
射频和微波电路
分立器件
分立器件
玻璃封装快恢复二极管
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
g2cz5811us
对辐照不敏感
bv≥160v,i
f
=6a,t
rr
≤30ns,v
f
≤0.925v@6a
d-5b
1n5811us
g2cz5415us
bv≥55v,i
f
=9a,t
rr
≤150ns,v
f
≤1.5v@9a
d-5b
1n5415us
g2cz5418us
bv≥440v,i
f
=9a,t
rr
≤150ns,v
f
≤1.5v@9a
d-5b
1n5418us
g2cz5806
bv≥160v,i
f
=2.5a,t
rr
≤25ns,v
f
≤0.975v@2.5a
do-41
1n5806
g2cz5806us
bv≥160v,i
f
=2.5a,t
rr
≤25ns,v
f
≤0.975v@2.5a
d-5a
1n5806us
g2cz6642us
bv≥75v,i
f
=300ma,t
rr
≤5ns
d-5d
1n6642us
*g2cz0112
bv≥1200v,i
f
=1a,t
rr
≤80ns
glassaxial leaded
sdr1n
金属陶瓷封装快恢复二极管
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
g2cz2020cu3
对辐照不敏感
bv≥200v,i
f
=10a
smd-0.5
hfb20hj20
g2cz4060cu1
bv≥600v,i
f
=30a
smd-1
hfa40hf60cscs
*g2cz4560ct6
bv≥600v,i
f
=45a
to-259aa
hfa45hi60cscs
*g2cz3560ct1
bv≥600v,i
f
=30a
to-254aa
hfa35hb60cscs
*g2cz35120ct1
bv≥1200v,i
f
=15a
to-254aa
hfa35hb120cscs
玻璃双向抑制瞬态二极管
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
gbsy6116a
对辐照不敏感
p
pp
=500w,v
br
≥25.7v, v
rwm
=20.6v, i
r
<1ua, v
c
<37.4v
glass axial leaded
1n6116a
gbsy6125
p
pp
=500w,v
br
≥55.8v,v
rwm
=47.1v,i
r
<1ua,v
c
<89.3v
glass axial leaded
1n6125
gbsy6126a
p
pp
=500w,v
br
≥64.6v,v
rwm
=51.7v,i
r
<1ua,v
c
<97.1v
glass axial leaded
1n6126a
*gbsy6127a
p
pp
=500w,v
br
≥71.3v, v
rwm
=56.0v, i
r
<1ua,v
c
<103.1v
glass axial leaded
1n6127a
*gbsy6128a
p
pp
=500w,v
br
≥77.9v, v
rwm
=62.2v, i
r
<1ua,v
c
<112.8v
glass axial leaded
1n6128a
gbsy6129a
p
pp
=500w,v
br
≥86.5v, v
rwm
=69.2v, i
r
<1ua,v
c
<125.1v
glass axial leaded
1n6129a
玻璃封装稳压二极管
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
g2cw4482
对辐照不敏感
v
z
=51v,
i
r
<0.05ua,p
t
=1.5w,α
vz
<0.096%/℃
do-41
1n4482
g2cw4491
v
z
=120v,
i
r
<0.25ua,
p
t
=1.5w,
α
vz
<0.1%/℃
do-41
1n4491
g2cw4982us
v
z
=100v,
i
r
<0.25ua,
p
t
=5w,
α
vz
<0.1%/℃
d-5b
1n4982us
*g2cw4494us
v
z
=160v,
i
r
<0.25ua,
p
t
=1.5w,
α
vz
<0.100%/℃
d-5a
1n4494us
*g2cw6326us
v
z
=12v,
i
r
<1.0ua,
p
t
=0.5w,
α
vz
<0.076%/℃
d-5d
1n6326us
*g2cw4116us
v
z
=24v,
i
r
<0.01ua,
p
t
=0.5w,
α
vz
<0.090%/℃
d-5d
1n4116ur
*g2cw4489us
v
z
=100v,
i
r
<0.25ua,
p
t
=1.5w,
α
vz
<0.099%/℃
d-5a
1n4489us
*g2cw4492us
v
z
=130v,i
r
<0.25ua,
p
t
=1.5w,
α
vz
<0.100%/℃
d-5a
1n4492us
玻璃封装肖特基二极管
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
*g2ck5822
对辐照不敏感
bv≥40v,i
f
=3a
glass axial leaded
1n5822
*g2ck5822us
bv≥40v,i
f
=3a
d-5b
1n5822us
npn双极晶体管
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
g3dk3500
tid≥100krad(si)
v
cbo
≥150v,v
ceo
≥150v,v
ebo
≥6v,i
c
=0.3a,β=40-120
to-39
2n3500
g3dk3501
tid≥100krad(si)
v
cbo
≥150v,v
ceo
≥150v,v
ebo
≥6v,i
c
=0.3a,β=100-300
to-39
2n3501
g3dk3501ub
tid≥100krad(si)
v
cbo
≥150v,v
ceo
≥150v,v
ebo
≥6v,i
c
=0.3a,β=100-300
ub
2n3501ub
g3dk2219a
tid≥100krad(si)
v
cbo
≥75v,v
ceo
≥50v,v
ebo
≥6v,i
c
=0.8a,β=100-300
to-39
2n2219a
g3dk2222a
tid≥100krad(si)
v
cbo
≥75v,v
ceo
≥50v,v
ebo
≥6v,i
c
=0.8a,β=100-300
to-18
2n2222a
g3dk2222aub
tid≥100krad(si)
v
cbo
≥75v,v
ceo
≥50v,v
ebo
≥6v,i
c
=0.8a,β=100-300
ub
2n2222aub
g3dk2369a
tid≥100krad(si)
v
cbo
≥40v,v
ceo
≥15v,v
ebo
≥4.5v,i
c
=0.2a,β=20-120
to-18
2n2369a
*g3dk3700ub
tid≥100krad(si)
v
cbo
≥140v,v
ceo
≥80v,i
c
=1a,β=100-300
to-39
2n3700ub
g3da3585
tid≥100krad(si)
v
cbo
≥500v,v
ceo
≥300v,v
ebo
≥6v,i
c
=2a,β=25-100
to-66
2n3585
g3da6678
tid≥100krad(si)
v
cbo
≥650v,v
ceo
≥400v,v
ebo
≥8v,i
c
=15a,β=15-40
to-3
2n6678
g3da5672
tid≥100krad(si)
v
cbo
≥150v,v
ceo
≥120v,v
ebo
≥7v,i
c
=30a,β=20-100
to-3
2n5672
g3da5667
tid≥100krad(si)
v
cbo
≥400v,v
ceo
≥300v,v
ebo
≥6v,i
c
=5a,β=25-75
to-39
2n5667
*g3da5667u3
tid≥100krad(si)
v
cbo
≥400v,v
ceo
≥300v,v
ebo
≥6v,i
c
=5a,β=25-75
smd-0.5
--
*g3da5109
tid≥100krad(si)
v
cbo
≥40v,v
ceo
≥20v,v
ebo
≥3v,i
c
=400ma,f
t
≥1.2ghz
to-39
2n5109
n沟抗辐射 vdmos器件
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
*gbcs7587u3rh
tid≥100krad(si)
sel≥75mev∙cm2/mg
bv
dss
=100v, i
d
=22a, r
ds(on)
=0.042ω
smd-0.5
irhnj67130scs
*gbcs7591t2rh
tid≥100krad(si)
sel≥75mev∙cm2/mg
bv
dss
=200v, i
d
=9.1a, r
ds(on)
=0.145ω
to-39
irhf67230
*gbcs7269t1rh
tid≥100krad(si)
sel≥75mev∙cm2/mg
bv
dss
=200v, i
d
=26a, r
ds(on)
=0.1ω
to-254
jansr2n7269
*gbcs7269u1rh
tid≥100krad(si)
sel≥75mev∙cm2/mg
bv
dss
=200v, i
d
=26a, r
ds(on)
=0.1ω
smd-1
jansr2n7269u
*gbcs7586u2rh
tid≥100krad(si)
sel≥75mev∙cm2/mg
bv
dss
=250v, i
d
=50a, r
ds(on)
=0.040ω
smd-2
irhna67264
快恢复二极管阵列
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
*gbzl1001ss
对辐照不敏感
bv≥300v,t
rr
≤25ns,v
f
≤2v
cfp16
sda1001ss
*gbzl1005ss
bv≥75v,t
rr
≤10ns,v
f
≤1v
cfp16
sda1005ss
*gbzl1006s
bv≥200v,t
rr
≤150ns,v
f
≤1.6v
cfp16
sda1006s
*gbzl1008ss
bv≥150v,t
rr
≤35ns,v
f
≤1v
cfp16
sda1008ss
*gbzl1009ss
bv≥400v,t
rr
≤150ns,v
f
≤3.2v
cfp16
sda1009ss
——————
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